单项选择题

杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。

A.变大，变小
B.变小，变大
C.变小，变小
D.变大，变大

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单项选择题
硅导带结构为（）。

A. 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面
B. 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面
C. 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面
D. 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面
单项选择题
半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。

A.漂移运动
B.扩散运动
C.热运动
D.共有化运动
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