单项选择题

为减少固定电荷密度和快界面态的影响,在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为()

A、【100】
B、【111】
C、【110】
D、【111】或【110】

<上一题 目录 下一题>
热门 试题

单项选择题
可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性,如一种半导体材料的霍尔系数为负值,该材料通常是()

A、n型
B、p型
C、本征型
D、高度补偿型

单项选择题
对大注入条件下,在一定的温度下,非平衡载流子的寿命与()。

A、平衡载流子浓度成正比
B、非平衡载流子浓度成正比
C、平衡载流子浓度成反比
D、非平衡载流子浓度成反比

相关试题
  • 测得以硅三极管的基极电压为-1.7V,发...
  • I-V特性曲线和负载线的交叉点叫做()
  • 负载线是一条描述()的曲线。
  • 常温下测得一处于放大状态的三极管各极电位...
  • 当晶体三极管的发射结加正偏、集电结加反偏...