单项选择题

‌在CMOS中通常PMOS栅极采用p+多晶硅而非n+多晶硅，其原因是（）。

A.p+多晶硅栅具有较大功函数
B.p+多晶硅栅具有更低电阻率
C.p+多晶硅栅可以做成埋沟器件
D.p+多晶硅栅适合自对准工艺

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单项选择题
以下（）描述对于正常放大工作的NPN晶体管是正确的。

A.ic>inc
B.ine< ipe
C.inc>ine
D.ib=ipe+icbo
单项选择题
双极型晶体管硅管和锗管中，发射结势垒区复合电流对发射效率的影响，下列说法中正确的是（）。

A.该复合电流影响对两种管子影响大小无法确定
B.该复合电流影响对硅管大，对锗管小
C.该复合电流影响对两种管子同样大
D.该复合电流影响对锗管大，对硅管小
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