单项选择题

锗晶体三极管的发射结的导通电压约为()。

A.0.2V
B.0.3V
C.0.7V

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单项选择题
晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而()。

A.增大
B.减小
C.不变

单项选择题
硅晶体三极管的发射结的死区电压约为()。

A.0.5V
B.0.3V
C.0.7V

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