单项选择题

NEMOSFET饱和区的工作条件为uGS（）Vt，uDS（）uGS-Vt。

A.〉，〈
B.〉，〉
C.〈，〈
D.〈，〉

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热门 试题

单项选择题
‍MOSFET中的导电沟道是指其（）‍

A.金属层
B.耗尽层
C.反型层
D.氧化层
多项选择题
‍在下述几种击穿现象中，哪些击穿是可逆的？‍‍‍（）

A.热击穿
B.齐纳击穿
C.雪崩击穿
D.以上都可以
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