单项选择题

关于离子注入说法错误的是（）。

A.离子注入产生缺陷
B.离子注入完以后需要退火
C.离子注入装置中质量分析作用是祛除杂质
D.离子注入和热氧化法差不多

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单项选择题
关于Si中离子注入As，随着能量的提高（相同剂量As）不会发生（）。

A.最高浓度下降
B.最高浓度往内移动
C.浓度分布宽度增加
D.最高浓度提高
单项选择题
下列关于PCVD和普通CVD比较，说法正确的是（）。

A.PCVD是PVD的一种，因此它不需要化学反应过程
B.PCVD不需要近1000摄氏度的高温
C.液晶显示器陈列基板工艺多采用CVD的方法
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