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【单项选择题】 半导体器件厂就是用一定型号的（）来生产出所需要的半导体元件。

【单项选择题】 层错属于（）

【单项选择题】 冷热探笔法属于利用半导体的（）来测量导电类型的方法。

【单项选择题】 目前国内外广泛采用（）测量半导体硅单晶电阻率。

【单项选择题】 三探针法属于利用半导体的（）来测量导电类型的方法。

【单项选择题】 位错密度通常采用（）来表示，可在金相显微镜下测定。

【单项选择题】 漩涡缺陷是晶体中（）的局部聚集。

【单项选择题】 用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（）为宜。

【多项选择题】 半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有（）

【单项选择题】 半导体晶体缺陷中的微观缺陷主要有（）

【多项选择题】 半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的（）有直接影响。

【单项选择题】 稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有（）

【多项选择题】 陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）

【多项选择题】 用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有（）

【判断题】 当半导体内注入了非平衡载流子后，一方面依靠体内的杂质和缺陷作为复...

【判断题】 测量半导体硅单晶导电类型时，通常要对表面进行喷砂处理或进行研磨处理。

【判断题】 腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最大。

【判断题】 硅单晶在不同腐蚀液中，P型硅的电极电位比N型硅的高。

【判断题】 位错是半导体中最主要的缺陷。

【判断题】 无论是直流光电导法或高频光电导法测量少数载流子寿命时应满足小注入条件。

【单项选择题】 以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680...

【单项选择题】 RO反渗透技术是利用（）为动力的膜分离过滤技术。

【多项选择题】 自动软化系统反洗的目的是（）

【判断题】 RO系统清洗过程应密切注意清洗液温度上升，不得超过35℃。

【判断题】 纯水制备系统反渗透系统要把浓水调节阀和进水调节阀完全关闭。

【判断题】 纯水制备系统在日常维护中，每次反洗时先用压缩空气使滤料充分松动，...

【判断题】 对三氯氢硅中硼的分析采用蒸发法。

【判断题】 离子交换床在工作的任何时候，混床进水压力小于160℃。

【判断题】 树脂的生交换柱内离子交换树脂失效后，在再生前必须首先对树脂进行短...

【判断题】 半导体体内的缺陷可用金相显微镜进行观察和计数。

【多项选择题】 直流光电导衰退法的优点主要有（）

【单项选择题】 直流光电导衰退法的缺点主要有（）

【多项选择题】 影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（）

【单项选择题】 硅Secco腐蚀液的腐蚀时间是（）

【单项选择题】 硅Dash腐蚀液的腐蚀时间是（）

【单项选择题】 硅Sirtl腐蚀剂的腐蚀时间是（）

【判断题】 直流四探针笔法测量电阻率时，首先将样品测试面进行研磨或喷砂处理，...

【单项选择题】 碳酸盐结垢导致的RO膜污染适应药液是（）

【单项选择题】 全自动软化系统逆洗时进口水压维持在（）bar左右，以利冲洗。

【单项选择题】 质谱的定量分析是在质谱图上，谱线的峰值所对应的离子流强度即谱线的...

【单项选择题】 （）对半导体单晶电化学腐蚀速度的影响最大。

【判断题】 树脂再生混合时要求注入蒸馏水至高出离子交换树脂10cm左右，然后混合。

【判断题】 气相色谱法测定干法H2的组成存在的环境因素是潜在的液氮低温冻伤。

【判断题】 露点法检测气体存在的危险是氢气泄露引起的燃烧核爆炸。

【判断题】 气相色谱法测定干法H2的组成存在的环境因素是潜在的氢气泄露引起的...

【判断题】 露点法检测气体中的水分是通常测-34℃以下气体观察到的是露点。

【判断题】 离子交换法制备纯水用一种阴树脂或氧树脂就可得到酸性水或碱性水。

【判断题】 活性炭过滤器在作为反渗透装置的前处理是是受本身进水温度、PH值和有...

【判断题】 硅单晶中线度小于10-4cm的缺陷称为微陷。

【判断题】 工厂生产的阳离子交换树脂一般为氯型。

【判断题】 纯水制备系统要每周检测一次砂滤出水SDI值，若SDI值超过5，就要检查...

【判断题】 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用化学药剂提纯法。

【判断题】 纯水制备系统过程中原水箱回流阀要全关闭。

【判断题】 放射线同位素的量越多，放出的射线的强度越少。

【判断题】 自动软化系统EBT测定如未软化，测试液呈红色则需再生。

【判断题】 只有多介质过滤器处于运行时才能对活性炭过滤器进行日常维护。

【判断题】 为了使氢离子和氢氧根离子完全结合成水，阴、阳树脂必须交换出等量的离子。

【单项选择题】 X射线在医疗诊断方面得到广泛应用，主要是依赖其（）

【单项选择题】 硅晶体中，氧的分凝系数（）1，碳的分凝系数（）1。

【判断题】 直流四探针笔法测量电阻率时，假定半导体样品的电阻率是均匀的，并假...

【多项选择题】 目前常用的测量非平衡少数载流子寿命的方法，一般主要有（）。

【多项选择题】 国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（）

【多项选择题】 半导体硅的常用腐蚀剂主要有（）。

【单项选择题】 缓冲剂一般是（）。

【单项选择题】 （）是最简单的点缺陷。

【单项选择题】 （）是目前国内最常用的判断半导体导电类型的方法。

【单项选择题】 （）是半导体中最主要的缺陷，它属于线缺陷。

【多项选择题】 由于硅晶体经历了各种温度的热处理，过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚...

【多项选择题】 以下（）选项都需要考虑晶体取向的影响。

【判断题】 在位错密度的两种表示方法中，通常采用位错的体密度来表示。

【判断题】 原生晶体中的漩涡缺陷不容易充分显示，尤其是直拉单晶，经过热处理才...

【判断题】 可以将小角度晶界看成是层错的排列。

【判断题】 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的测量下限一般为10～20μs。

【判断题】 被腐蚀的半导体电极电位低的是负极，电极电位高的是正极，正级被腐蚀溶解。

【判断题】 半导体硅在酸碱中所受到的腐蚀都属于电化学腐蚀。

【判断题】 半导体的陷阱中心数量是变化的。

【多项选择题】 四探针法测量电阻率的测准条件主要有（）

【单项选择题】 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（）

【单项选择题】 露点法测定气体中水分的设备环境要求是保持工作环境高纯卫生，温度4...

【单项选择题】 纯水制备系统混床的再生反洗的目的是（）

【多项选择题】 X射线形貌技术的试验方法有（）

【单项选择题】 RO系统清洗时注意事项有（）

【多项选择题】 自动软化系统工位由（）盐箱注水组成。

【单项选择题】 三氯氢硅中硼的分析采用（）法。

【单项选择题】 全自动软化过滤器设计过滤体材质选用（）。

【单项选择题】 反渗透装置是超纯水治水系统中提纯的（）部分。

【单项选择题】 多介质过滤器制备纯水时，每周要检测一次砂滤出水SDI值，若SDI超过（...

【单项选择题】 对三氯氢硅中痕量杂质的分析主要试剂盐酸是优级纯再经（）提纯两次。

【单项选择题】 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用...

【单项选择题】 当RO系统暂停使用一周以上时，系统应以（）浸泡，防止细菌在膜表面繁殖。

【单项选择题】 超纯水制水处理系统再生部分选择（）水泵。

【单项选择题】 我国政府规定每天受射线辐射剂量应在（）r以下。

【单项选择题】 半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（）

【单项选择题】 EL测试对于混档的描述中，高档为电池片混入低档组件中最多允许（）片。

【单项选择题】 层压后组件A级标准中隐裂导致电池片的失效面积为≤单片电池片面积的（）

【单项选择题】 EL测试中关于层压后缺角的描述正确的是（）mm。

【单项选择题】 关于断栅的描述，2%＜断栅面积≤5%，60片版型组件≤（）片，7...

【单项选择题】 下列对EL测试不良黑角描述正确的是（）mm。

【单项选择题】 对于隐裂的定义即为目视看不到，通过EL红外成像设备方能发现的呈细线...

【单项选择题】 单片断栅面积≤2%不计，断栅面积＞（）不允许。