GaAs以及InP的禁带宽度分别为（）；（），与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。

太阳能单一结电池片可以分为（）；（）、双异质性结构、倾斜禁带宽度型、异质结构、短键位垒型、量子阱结构超晶格结构、Si以及Ge基片上的薄膜电池片上。 点击查看答案

在同质结结构中，为了得到20%以上的高效率，必须让结合深度在（）以下的浅层处，因此在异质表面结构中，通入插入宽禁带宽度的窗层，增加结合深度高定的自由度，就可以实现高效率。 点击查看答案