在同质结结构中，为了得到20%以上的高效率，必须让结合深度在（）以下的浅层处，因此在异质表面结构中，通入插入宽禁带宽度的窗层，增加结合深度高定的自由度，就可以实现高效率。

通过采用MQW结构，电流值可用（）和（）控制，电压可用本体上的禁带宽度控制，因此即使是单电池片，其转换效率也有望达到40%。 点击查看答案

在InP中也电子线照射缺陷一致的方向，注入（）以促进（）的所谓DLTS的方法得到的结果。 点击查看答案