在InP中也电子线照射缺陷一致的方向，注入（）以促进（）的所谓DLTS的方法得到的结果。

由于大多数化合物半导体的能带结构都是（），因此不像间接跃迁的Si那样容易产生太阳能电池特性的放射线（）现象。 点击查看答案

InP电池片的转换效率是（）。 点击查看答案