面积为10cm²的硅太阳能电池在100mw/cm²光照下，开路电压为600mV，短路电流为400mA，填充因子为0.8，则此硅太阳能电池的最大光电转换效率为（）

考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）

A.15μs
B.225μs
C.1.5μs
D.20μs

点击查看答案

在大同地区（北纬40.1°，东京113.3°）建一太阳能光伏电站，若所用太阳能电池板方阵高度为2m，方阵最佳倾斜角为45°，则两排方阵之间的最小距离为（）

A.5.673m
B.4.259m
C.1.414m
D.3.011m

点击查看答案