单项选择题

关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（）

A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
B.在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
C.p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。
D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。

<上一题目录下一题>

热门试题

单项选择题

面积为10cm2的硅太阳能电池在100mw cm2光照下，开路电压为600mV，短路电流为400mA，填充因子为0.8，则此硅太阳能电池的最大光电转换效率为（）

A.19.2℅
B.17.6℅
C.15.6℅
D.20.3℅

单项选择题

考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）

A.15μs
B.225μs
C.1.5μs
D.20μs