单项选择题
A、质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B、价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C、价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D、自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
A、Wms=0 B、Wms＜0 C、Wms＞0 D、阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性
A、散射机构； B、复合机构； C、杂质浓度梯度； C、表面复合速度。