对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei

在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）。

A. 在禁带中线处
B. 靠近导带底
C. 靠近价带顶
D. 以上都不是

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在热力学温度零度时，能量比FF小的量子态被电子占据的概率为（），当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为（）。 点击查看答案