计算题 设N沟道增强型MOSFET的参数为V_T＝1V，W＝100μm，L＝5μm，μ_n＝650cm²／V·s，C_ox＝76.7×10^-9F／cm²。当V_GS＝2V_T，MOSFET工作在饱和区，试计算此时场效应管的工作电流I_D。

已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为KP＝0.2mA／V2，VP＝0.5V，iD＝－0.5mA（假定正向为流进漏极）。试求此时的预夹断点栅源电压vGS和漏源电压vDS等于多少？ 点击查看答案

设计一稳压管并联式稳压电路，要求输出电压Vo＝4V，输出电流Io＝15mA，若输入直流电压VI＝6V，且有10％的波动。试选用稳压管型号和合适的限流电阻值，并检验它们的功率定额。 点击查看答案