问答题
计算题 已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为K
P
=0.2mA/V
2
,V
P
=0.5V,i
D
=-0.5mA(假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅源电压v
GS
和漏源电压v
DS
等于多少?
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试题
问答题
设计一稳压管并联式稳压电路,要求输出电压Vo=4V,输出电流Io=15mA,若输入直流电压VI=6V,且有10%的波动。试选用稳压管型号和合适的限流电阻值,并检验它们的功率定额。
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问答题
电路如图所示,D为硅二极管,VDD=2V,R=1k,正弦信号vs=50sin(2π×50t)mV。 (1)静态(即vs=0)时,求二极管中的静态电流和vo的静态电压; (2)动态时,求二极管中的交流电流振幅和vo的交流电压振幅; (3)求输出电压vo的总量。
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