单项选择题

NEMOSFET饱和区的工作条件为u_GS（）V_t，u_DS（）u_GS-V_t。

A.〉，〈
B.〉，〉
C.〈，〈
D.〈，〉

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热门试题

单项选择题

‍MOSFET中的导电沟道是指其（）‍

A.金属层
B.耗尽层
C.反型层
D.氧化层

判断题

齐纳二极管只能用作稳压用途。

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