单项选择题
A.电子迁移率高，适合做高频器件B.带隙大可以做高温器件C.晶体结构为纤锌矿结构D.是直接带隙，光电转换效率高
A.非晶硅与单晶硅的raman谱的峰位不同B.非晶硅的光吸收系数高于单晶硅，有利于光电转换C.非晶硅的能带结构与晶体硅相同，禁带宽度均为1.12eVD.由于非晶硅薄膜中存在比较高的缺陷和局域态密度，通常不能进行掺杂
A.位错B.夹层C.氧沉淀D.层错