问答题
案例分析题在下述条件下,是否有载流子的净复合或者净产生 在载流子完全耗尽(即n,p都大大小于ni)半导体区域。
【参考答案】
点击查看答案
<上一题
目录
下一题>
热门
试题
问答题
一块n型硅内掺有1016cm-3的金原子,试求它在小注入时的寿命。若一块p型硅内也掺有1016cm-3的金原子,它在小注入时的寿命又是多少?
点击查看答案
问答题
把一种复合中心杂质掺入本征硅内,如果它的能级位置在禁带中央,试证明小注入时的寿命τ=τn+τp。
点击查看答案
相关试题
测得以硅三极管的基极电压为-1.7V,发...
I-V特性曲线和负载线的交叉点叫做()
负载线是一条描述()的曲线。
常温下测得一处于放大状态的三极管各极电位...
当晶体三极管的发射结加正偏、集电结加反偏...