简答题

请选出正确选项填入括号内
在室温下，半导体Si中掺入浓度为10¹⁴cm^-3的磷杂质后，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（），费米能级的位置（）；一段时间后，再一次向半导体中掺入浓度为1.1×10¹⁵cm^-3的硼杂质，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（），费米能级的位置（）；如果，此时温度从室温升高至K550，则杂质半导体费米能级的位置（）。（已知：室温下，n_i=10¹⁰cm^-3；K550时，n_i=10¹⁷cm^-3）

电离后向半导体提供空穴的杂质是（），电离后向半导体提供电子的杂质是（）。

A. 受主杂质
B. 施主杂质
C. 中性杂质

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计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。 点击查看答案