计算题

掺施主杂质N_D=10¹⁶cm^-3硅样品，少子寿命τ_p=10μs，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率g=10¹⁹/cm³·s，设本征载流子浓度n_i=10¹³cm^-3。
1）分别计算无光照和有光照时的电导率。
2）试计算室温时无光照情况下的费米能级；
3）试计算室温时有光照情况下的费米能级；
4）请图示比较两种情况下的费米能级的不同。

已知锗原子的浓度为4.4×1022 cm3。 1）温度为300K时，本征锗的电阻率为47Ω·cm，μn=3900cm2 V·s，μp=1900cm2 V·s。试求本征载流子浓度。 2）若掺入锑杂质，使每个锗原子中有一个杂质原子，计算300K时电子浓度和空穴浓度。 3）若假设杂质全部电离，试求该掺杂锗样品的电阻率。 4）若流过该样品的电流密度为100mA cm2，求所加的电场强度。 点击查看答案

简述霍尔效应及应用。 点击查看答案