单项选择题

N型半导体材料的迁移率比P型半导体材料的迁移率（）

A.相等
B.小
C.大

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单项选择题
NMOS器件的衬底是（）型半导体。

A.N型
B.P型
C.本征型
D.耗尽型
单项选择题
当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。

A.积累
B.耗尽
C.导通
D.夹断
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