计算题 在500g的硅单晶中掺有4.5×10^-5g的硼，设杂质全部电离，求该材料的电阻率（设μ_p=400cm²/V.s），硅单密度为2.33g/cm³，硼的原子量为10.8）。

本征硅在室温时电子和空穴迁移分别为1350cm2 V.s和500cm2 V.s，当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率比本征硅的电导率增大了多少倍？ 点击查看答案

300K时，锗的本征电阻率为47Ω.cm，如电子空求本征锗的载流子浓度分别为3900cm2 V.s和1900cm2 V.s，求本征锗的载流子浓度。 点击查看答案