问答题
计算题 本征硅在室温时电子和空穴迁移分别为1350cm
2
/V.s和500cm
2
/V.s,当掺入百万分之一的A
s
后,设杂质全部电离,试计算其电导率比本征硅的电导率增大了多少倍?
【参考答案】
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试题
问答题
300K时,锗的本征电阻率为47Ω.cm,如电子空求本征锗的载流子浓度分别为3900cm2 V.s和1900cm2 V.s,求本征锗的载流子浓度。
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问答题
设硅中施主杂质电离能ΔED=0.04eV,施主杂质浓度ND=1016 cm3,以施主杂质电离90%作为达到强电离的最低标准,试计算保持饱和杂质电离的温度范围。
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