计算题 本征硅在室温时电子和空穴迁移分别为1350cm²/V.s和500cm²/V.s，当掺入百万分之一的A_s后，设杂质全部电离，试计算其电导率比本征硅的电导率增大了多少倍？

300K时，锗的本征电阻率为47Ω.cm，如电子空求本征锗的载流子浓度分别为3900cm2 V.s和1900cm2 V.s，求本征锗的载流子浓度。 点击查看答案

设硅中施主杂质电离能ΔED=0.04eV，施主杂质浓度ND=1016 cm3，以施主杂质电离90%作为达到强电离的最低标准，试计算保持饱和杂质电离的温度范围。 点击查看答案