空穴是一种假设出来的粒子。其有效质量为（），电荷为（）。

‏对于NMOS和PMOS管完全对称的CMOS反相器，当输出端从高电平翻转到低电平的过程中，论述正确的是（）。

A.翻转时，从电源到地端的回路总等效电阻最大
B.负载管从线性区直接过渡到截止区
C.翻转时，两个管子都处于饱和区
D.工作管从截止区直接过渡到线性区

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关于MOSFET模型论述错误的是（）。

A.与体电荷模型相比，平方律简单模型高估了V_DSat
B.体电荷模型中，衬底掺杂浓度越高，其预测的I_DS与平方律简单模型相比误差越低
C.体电荷模型中，无统一的V_T
D.与体电荷模型相比，平方律简单模型高估了漏源电流I_DS

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