目前在LSI生产中广泛采用的是（）。

层间膜要使用（）。

A.高介电常数膜
B.低介电常数膜
C.铁电体膜

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DRAM和逻辑LSI元件结构说法错误的是（）。

A.DRAM上有位线和子线，位线和子线交点处有三极管极串联的电容
B.电容和三极管结构所构成的单元就是DRAM
C.逻辑LSI单元分为MOS器件以及互连线两部分
D.反相器和与非门，寄存器和锁存器等都是逻辑电路的基本单元

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