单项选择题

金属-SiO2-p型Si构成的MIS结构中，SiO2中分布的可动正电荷不会影响（）。

A.半导体表面势
B.平带电压
C.平带电容
D.器件的稳定性

<上一题 目录 下一题>
热门 试题

单项选择题
GaAs具有微分负电导现象，原因在于在强电场作用下，（）

A.载流子发生能谷间散射
B.载流子迁移率增大
C.载流子寿命变大
D.载流子浓度变小
单项选择题
若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材料是（）

A.本征半导体
B.杂质半导体
C.金属导体
D.简并半导体
相关试题