问答题
计算题 一截面为0.6cm
2
,长为1cm的n型GaAs样品,设μ
n
=8000cm
2
/V.s,n=10
15
cm
3
,试求该样品的电阻。
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试题
问答题
设电子迁移率为0.1cm2 V.s,硅的电子有效质量mcn=0.26m0,如加以强度为104V m的电场,试求平均自由时间和平均自由程。
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问答题
在500g的硅单晶中掺有4.5×10-5g的硼,设杂质全部电离,求该材料的电阻率(设μp=400cm2 V.s),硅单密度为2.33g cm3,硼的原子量为10.8)。
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