多项选择题

外延双阱工艺的优点包括（）。

A.实现N阱和P阱独立控制
B.更平坦的表面
C.做在阱区内的器件可以减少受到α粒子辐射的影响
D.抑制闩锁效应

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CMOS制作时，常常用作钝化层的材料是（）。

A.氮化硅
B.二氧化硅
C.多晶硅
D.单晶硅
多项选择题
集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有（）。

A.外延隔离
B.埋层隔离
C.PN结隔离
D.介质隔离
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