如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。

锗的晶格结构和能带结构分别是（）

A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型

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不考虑表面态的影响，如需在n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最适合的是（）。

A.In（Wm=3.8eV）
B.Cr（Wm=4.6eV）
C.Au（Wm=4.8eV）
D.Al（Wm=4.2eV）

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