填空题
光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有()、()、()、()。
【参考答案】
溶解度;温度;甩胶时间;转速
点击查看答案
<上一题
目录
下一题>
热门
试题
填空题
常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有()、()、()、()、()、()、()等。
点击查看答案
填空题
特大规模集成电路(ULIC)对光刻的基本要求包括()、()、()、()、()等五个方面。
点击查看答案
相关试题
把半导体级硅的多晶硅块,转换成一块大的单...
在晶体材料中,对于长程有序的原子模式最基...
从天然硅中获得达到生产半导体器件所需纯度...
BiCMOS技术就是将()和()的优良性能集中...
MOS场效应管(MOSFET)在20世纪70年代...