单项选择题

当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。

A.积累
B.耗尽
C.导通
D.夹断

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单项选择题
在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）

A.增大
B.减小
C.不变
D.先减小后增大
单项选择题
当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）

A.增大
B.减小
C.不变
D.先增大后减小
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