单项选择题

PN结的击穿电压越()越好,开关时间越()越好。

A.大,短
B.小,短
C.小,长
D.大,长

<上一题 目录 下一题>
热门 试题

单项选择题
正向电压作用下PN结电容以()为主,反向电压作用下PN结电容以()为主。

A.势垒电容,势垒电容
B.势垒电容,扩散电容
C.扩散电容,扩散电容
D.扩散电容,势垒电容

单项选择题
P区侧存在()空间电荷,会形成从()的自建电场

A.正,N区指向P区
B.正,P区指向N区
C.负,N区指向P区
D.负,P区指向N区

相关试题
  • 测得以硅三极管的基极电压为-1.7V,发...
  • I-V特性曲线和负载线的交叉点叫做()
  • 负载线是一条描述()的曲线。
  • 常温下测得一处于放大状态的三极管各极电位...
  • 当晶体三极管的发射结加正偏、集电结加反偏...