单项选择题
A.改变禁带宽度 B.产生复合中心 C.产生空穴陷阱 D.产生等电子陷阱
A.1/4 B.1/e C.1/e2 D.1/2
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2,弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9,的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8