材料烧结的难易程度可以用晶界能gGB与表面能gSV的比值来衡量，某材料的gGB/gSV（），材料越容易烧结。

材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率Vb与气孔移动速率Vp，当（）时，晶粒正常长大。

A.V_b=V_p
B.V_b>V_p
C.V_b< V_p
D.二者没有关系

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提高物料烧结活性的途径有（）。

A.提高物料粒度
B.降低物料粒度
C.采用不同形式的母盐及热分解条件来制备活性氧化物
D.以上措施皆可

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