材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率V_b与气孔移动速率V_p，当（）时，晶粒正常长大。

提高物料烧结活性的途径有（）。

A.提高物料粒度
B.降低物料粒度
C.采用不同形式的母盐及热分解条件来制备活性氧化物
D.以上措施皆可

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物料粒度越大，烧结速率（）；提高烧结温度、延长烧结时间、提高成型压力一般会（）烧结。

A.越快；促进
B.越快；阻碍
C.越慢；促进
D.越慢；阻碍‍

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