案例分析题对于室温下硅材料，假设载流子迁移率分别为μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且认为不随掺杂而变化。已知q=1.6×10^-19C，本 征载流子浓度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度为5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。 试计算本征硅的电阻率。

金属和半导体接触分为有整流特性的肖特基接触和非整流的欧姆接触。 点击查看答案&解析

在一定温度下，光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，光照稳定后，由于电子空穴对的产生率与复合率相等，所以称为热平衡状态，有统一的费米能级。 点击查看答案&解析