输入（）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。

根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。

A.NPN型低频小功率硅晶体管
B.NPN型高频小功率硅晶体管
C.PNP型低频小功率锗晶体管
D.NPN型低频大功率硅晶体管

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某NPN型管电路中，测得UBE=0V，UBC=—5V，则可知管子工作于（）状态。

A.放大
B.饱和
C.截止
D.不能确定

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