单项选择题
根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为()。
A.NPN型低频小功率硅晶体管
B.NPN型高频小功率硅晶体管
C.PNP型低频小功率锗晶体管
D.NPN型低频大功率硅晶体管
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试题
单项选择题
某NPN型管电路中,测得UBE=0V,UBC=—5V,则可知管子工作于()状态。
A.放大
B.饱和
C.截止
D.不能确定
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填空题
场效应管从结构上可分为两大类:()、MOS;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型、()。
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对于半导体材料,随温度升高:()
过压状态的工作特性是()