单项选择题

P型半导体发生强反型的条件()。

A.
B.
C.
D.

<上一题 目录 下一题>
热门 试题

问答题
说明能带中载流子迁移率的物理意义和作用。
问答题
对于掺杂的元素半导体Si、Ge中,一般情形下对载流子的主要散射机构是什么?写出其主要散射机构所决定的散射几率和温度的关系。
相关试题
  • 测得以硅三极管的基极电压为-1.7V,发...
  • I-V特性曲线和负载线的交叉点叫做()
  • 负载线是一条描述()的曲线。
  • 常温下测得一处于放大状态的三极管各极电位...
  • 当晶体三极管的发射结加正偏、集电结加反偏...