问答题

简答题 简述PN结反向击穿的原理(雪崩效应、齐纳击穿、热电击穿)

【参考答案】

(1)雪崩击穿:半导体中,pn结反向电压增大时,势垒区中的电场很强,在势垒区内的电子和空穴由于受到强电场的漂移作用,具有......

(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
热门 试题