单项选择题
器件的横向尺寸控制几乎全由()来实现。
A.掩膜版
B.扩散
C.光刻
点击查看答案
<上一题
目录
下一题>
热门
试题
单项选择题
反应离子腐蚀是()。
A.化学刻蚀机理
B.物理刻蚀机理
C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
点击查看答案
单项选择题
恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为()分布。
A.高斯
B.余误差
C.指数
点击查看答案
相关试题
简述你所在工艺的工艺质量要求?你如何检查...
洁净区工作人员应注意些什么?
典型的GaAsMESFET结构IC的工艺流程?
有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?
简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性?