单项选择题

源漏注入之后，必须进行（）工艺，修复晶格损伤，激活杂质。

A.氧化
B.快速热处理
C.退火
D.扩散

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单项选择题
未进行掺杂的二氧化硅薄膜，通常简写为（）。

A.PSG
B.USG
C.BSG
D.FSG
单项选择题
我们利用LOCOS技术制作MOS中的（）。

A.场氧区
B.源、漏
C.栅
D.有源区
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