单项选择题

下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是______。

A.刷新是指对DRAM中的存储电容重新充电
B.刷新是通过对存储单元进行“读但不输出数据”的操作来实现
C.由于DRAM内部设有专门的刷新电路，所以访存期间允许进行刷新
D.刷新期间不允许访存，这段时间称为“访存死区(也叫死时间)”
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单项选择题
虚拟存储器理论上的最大容量取决于______。
A.辅存容量
B.主存容量
C.虚地址长度
D.实地址长度
单项选择题
属于易失性存储器的是______。
A.E2PROM
B.Cache
C.Flash Memory
D.CD-ROM
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