单项选择题

当温度升高后，二极管的正向电压和反向电流分别按______的规律变化。

A．增大、减小
B．增大、增大
C．减小、减小
D．减小、增大
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单项选择题
当温度降低后，二极管的正向电压和反向电流分别按______的规律变化。
A．增大、减小
B．增大、增大
C．减小、减小
D．减小、增大
单项选择题
同一测试电路中测得VD1、VD2、VD3三个二极管电流如表所示，以下说法正确的是______。 管号 加0.5V正向电压时的电流 mA 加反向电压时的电流 uA VD1 0.5 1 VD2 5 0.1 VD3 2 5
A．VD1性能最好
B．VD2性能最好
C．VD3性能最好
D．无法确定
单项选择题
二极管的安全极限参数为______。
A．IF、IR
B．UR、IR
C．IF、UR
D．fU、IR
单项选择题
要使二极管安全工作，在选择二极管时，主要根据二极管的______来选择。
A．IF、IR
B．UR、IR
C．IF、UR
D．fU、IR
单项选择题
二极管的IR参数的值越______，说明其单向导电特性越好。
A．大
B．小
C．接近IR
D．以上都不对
单项选择题
锗二极管和硅二极管的伏安特性如图所示，锗管的特性曲线是（）。

A．由a和c组成
B．由a和d组成
C．由b和c组成
D．由c和d组成
单项选择题
在如图所示的几条曲线中，表示理想二极管正向伏安特性的是（）。

A.A
B.B
C.C
D.D
单项选择题
硅的单向导电性比锗的______。
A．好
B．差
C．无明显区别
D．以上都不对
单项选择题
不能用R×10K档测量二极管的原因是该档位______。
A．电源电压过大，易使二极管击穿
B．电流过大，易使二极管烧毁
C．内阻过小，易使二极管烧毁
D．内阻过大，易使二极管无法导通
单项选择题
在如图所示的电路中，VD1和VD2为理想二极管，图中VD1，VD2的状态为（）。

A．VD1、VD2导通
B．VD1导通，VD2截止
C．VD1导通，VD2截止
D．VD1、VD2、VD3导通
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