单项选择题
下列关于主存一体多字和多体交叉方案的叙述中,不正确的是______。
A.主存一体多字使每个主存单元同时存储几个主存字,则每一次读操作就同时读出几个主存字,大大提高了主存读出一个字的平均速度
B.多体交叉编址把主存储器分成几个能独立读写的、字长为多个主存字的主体
C.主存一体多字需要把每次读出的几个主存字保存在一个位数足够长的存储器中
D.多体交叉编址按读写需要情况,分别对每个存储体执行读写,几个存储体协同运行,提高了存储体的读写速度
点击查看答案&解析
<上一题
目录
下一题>
热门
试题
单项选择题
下列关于双端口存储器和交叉存储器的叙述中,正确的是______。
A.双端口存储器两个端口使用同一组地址线、数据线和读写控制线,同时访问同一区间、同一单元。
B.双端口存储器当两个端口同时访问相同的地址码时必然会发生冲突
C.高位多体交叉存储器的设计依据了程序的局部性原理
D.高位四体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问四个模块
点击查看答案&解析
单项选择题
双端口存储器在______发生访问冲突。
A.左端口与右端口同时被访问的情况下
B.同时访问左端口与右端口的地址码不同的情况下
C.同时访问左端口与右端口的地址码相同的情况下
D.任何情况下都不
点击查看答案&解析
相关试题
下列关于页式存储管理与段式存储管理的区别...
页式存储管理系统不会出现______。
当缺页故障处理完毕后,处理器将______。
在页面尺寸为4KB的页式存储管理中,页表中...
虚拟存储器不能解决的问题是______。