单项选择题

N型半导体中的自由电子是（）形成的。

A.掺杂
B.能量击发
C.掺杂与能量击发

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单项选择题
硅管与锗管的死区电压分别为（）V。

A.0.7，0.3
B.0.3，0.7
C.0.5，0.2
D.0.2，0.5
单项选择题
半导体中的载流子为（）。

A.正离子
B.负离子
C.电子
D.自由电子和空穴
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