单项选择题
A.锗二极管的门槛电压，相对硅而言比较小B.锗二极管的反向饱和电流，相对硅而言更大一点C.二极管两端所加的正向电压大于门槛电压时，电流呈现指数增加D.二极管两端施加反向电压时，会形成反向饱和电流，相当于二极管导通
A.大的正向扩散电流B.PN结导通C.低电阻D.高电阻
A.空间电荷区的电阻率很高B.PN结的内电场是从P区指向N区的C.由载流子浓度差引起的载流子运动，称为扩散运动D.漂移运动指的是电场作用所引起的载流子的运动