单项选择题
WCVD工艺第一步是()。
A.浸润
B.成核
C.BULK
D.直接反应
点击查看答案&解析
<上一题
目录
下一题>
热门
试题
单项选择题
Liner barrier阻挡金属间扩散作用的金属是()。
A.金属Al
B.金属钛
C.金属氮化钛
D.金属钨
点击查看答案&解析
单项选择题
掺氯氧化使用的HCL是()。
A.液态源
B.固态源
C.气态源
点击查看答案&解析
相关试题
按照芯片组装方式的不同,关于SiP的分类,...
关于电子封装基片的性质,说法错误的是()。
下列关于BGA球栅阵列的优缺点,说法正确的...
下列属于BGAA形式的是()。
下面关于BGA的特点,说法错误的是()。