多项选择题

‌对于GaN/InGaN/GaN量子阱结构LED和激光器下列哪种说法正确？（）

A.LED光谱较窄
B.激光器发射功率较低
C.可采用MOCVD工艺来制备GaN/InGaN/GaN量子阱
D.LED没有谐振腔而激光器有

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多项选择题
下图是一P型单臂CNT FET，下列哪种说法正确？（）

A.这是底栅CNT FET
B.金属钯（Pd）的功函数小于CNT的功函数
C.CNT是FET的导电沟道
D.CNT中的载流子是弹道传输
多项选择题
‍从下面选出产生单电子效应的两个必备条件：（）

A.Ec=kBT
B.RT>>Rk
C.Ec>>kBT
D.RT< Rk
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